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UST 학생, 새로운 관통전극(TSV) 비파괴 측정 기술 개발

  • 조회 : 467
  • 등록일 : 2018-11-13
UST 학생, 새로운 관통전극(TSV) 비파괴 측정 기술 개발의 대표사진

보도기사: [동아사이언스], [헤럴드경제], [서울경제], [전자신문], [디지털타임스], [뉴시스], [뉴스1], [노컷뉴스], [충청투데이], [중도일보], [금강일보], [이데일리], [대덕넷], [베리타스알파]

 

□ 전자회로 샘플 손실 없이 고속으로 제품 전수검사가 가능한 새로운 비파괴 측정 기술 관련 논문이 ‘네이처’가 발행하는 온라인 학술지인 ‘사이언티픽리포트(Scientific Reports, I.F. 4.122)’에 지난 10월 26일 발표됐다.

 

□ UST(과학기술연합대학원대학교, 총장 문길주)는 안흘비 석박사 통합과정 학생(한국표준과학연구원 캠퍼스 측정과학 전공, 지도교수 진종한)의 관통전극(TSV)의 삼차원 측정이 가능한 ‘스마트 기기 구현용 관통전극의 삼차원 형상 측정을 위한 하이브리드 비파괴 측정 방법’ 논문이 게재됐다고 밝혔다.

 

 

□ 이번 연구는 적층식 회로의 관통전극(TSV)* 측정을 비파괴 방식으로 바꾸어 회로의 작동 여부 검사 비용과 시간을 획기적으로 줄일 수 있는 기술이다. 기존에는 생산 된 회로 실물 제품을 직접 잘라서 정상 여부를 판단했다. 광학현미경, 공초점현미경, 분광간섭계를 사용한 이 기술을 적용하면, 회로 내 관통전극의 모양을 입체적으로 측정할 수 있다. 또한, 적층형 반도체 생산 공정에서 검사에 필요한 샘플 회로 손실 없이, 제품에 대한 전수검사가 고속으로 가능해진다.

 

* 관통전극(TSV)은 스마트 기기(스마트폰, 웨어러블 디바이스 등)의 작은 공간 내 아파트와 같이 수직으로 층을 쌓은 적층형 회로에 미세 구멍을 뚫어 상단 칩과 하단 칩의 구멍을 전기신호로 연결하는 기술이다. 기존 와이어 본딩 방식에 비해 전송 거리가 줄어 동작속도는 빨라지고, 소비전력은 줄였다.

 

□ 그는 “앞으로도 차세대 반도체 적층 소자의 미세 형상 측정 기술을 계속 연구하여, 반도체 분야의 검사계측 핵심 기술 개발 및 측정 표준 확립에 기여할 수 있도록 노력하겠다”고 말했다. 

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